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| IRF6603TR1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS: Not compliant | 搜索 |
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| IRF6603TR1 | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | 查看库存、价格及货期 | ||||
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PDF查询| 数据列表 | IRF6603 |
|---|---|
| 产品相片 | IRF6614TR1PBF |
| PCN Obsolescence | (EP) Parts 25/May/2012 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 27A （Ta）， 92A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 72nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6590pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET? MT |
