型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF6601 | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET 详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 26A(Ta),85A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT 型号:IRF6601 仓库库存编号:IRF6601CT-ND 别名:IRF6601CT <br> | 含铅 | 搜索 |
数据列表 | IRF6601/TR1 |
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产品相片 | IRF6614TR1PBF |
其它有关文件 | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
标准包装 | 1 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 剪切带 (CT) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 26A (Ta), 85A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.8 毫欧 @ 26A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 45nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3440pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 3.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MT |
供应商器件封装 | DIRECTFET? MT |
其它名称 | IRF6601CT |