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IRF6607TR1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R (Alt: IRF6607TR1)

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型号

制造商

描述

操作

IRF6609TRPBF
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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 20 V 2.6 mOhm 69 nC HEXFET? Power Mosfet - DirectFET?

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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英国2号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号

制造商

描述

操作

IRF6609TR1PBF
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Infineon Technologies AG

20V N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET

RoHS: Compliant

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IRF6609TRPBF
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Infineon Technologies AG

A 20V N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET WITH 20 VOLT GATE IN THE DIRECTFET MT PACKAG

RoHS: Compliant

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英国8号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	操作
IRF6607TR1 [更多]	International Rectifier	MOSFET Transistor, N-Channel, SMT	搜索
IRF6607TR1 [更多]	TT Electronics Resistors	MOSFET Transistor, N-Channel, SMT	搜索
IRF6608 [更多]	International Rectifier	13A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET	搜索
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IRF660
制造商型号： IRF660
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，30V，27A，Direct-FET，MT
技术参考：

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产品信息

	典型关断延迟时间	24 ns
	典型接通延迟时间	20 ns
	典型栅极电荷@Vgs	48 nC V @ 4.5
	典型输入电容值@Vds	6590 pF V @ 15
	安装类型	表面贴装
	宽度	5.05mm
	封装类型	DirectFET MT
	尺寸	5.45 x 5.05 x 0.6mm
	引脚数目	7
	最低工作温度	-40 °C
	最大功率耗散	3.6 W
	最大栅源电压	±20 V
	最大漏源电压	30 V
	最大漏源电阻值	0.003 Ω
	最大连续漏极电流	27 A
	最高工作温度	+150 °C
	每片芯片元件数目	1
	类别	功率 MOSFET
	通道模式	增强
	通道类型	N
	配置	双漏极、双源、单
	长度	5.45mm
	高度	0.6mm

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