型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IRF3205ZLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: IRF3205ZLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 55V, 110A, TO-262-3
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IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 55V, 110A, 6.5 MOHM, 76 NC QG, TO-262 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF3205ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 110A, 170W, TO262, HEXFET?
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IRF3205ZL | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 | 查看库存、价格及货期 |
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF3205ZLPBF![]() | 2579973 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-262 型号:IRF3205ZLPBF 仓库库存编号:IRF3205ZLPBF-ND 别名:*IRF3205ZLPBF <br>SP001564660 <br> | 无铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) TO-262 型号:IRF3205ZL 仓库库存编号:IRF3205ZL-ND 别名:*IRF3205ZL <br> | 含铅 | 搜索 |
数据列表 | IRF3205Z(S,L) |
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标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 75A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6.5 毫欧 @ 66A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3450pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 170W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装 | TO-262 |
其它名称 | *IRF3205ZL |