型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs
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IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF3205ZPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF3205ZPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 4.9 Milliohms, ID 110A, TO-220AB, PD 170W, -55de RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205ZPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 170 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 110A, 170W, TO220AB, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF3205ZPB | International Rectifier | MOSFET,N沟道,55V,110A,HEXFET,TO220AB | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | IRF3205ZPB International Rectifier | MOSFET,N沟道,55V,110A,HEXFET,TO220AB![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB 型号:IRF3205ZPBF 仓库库存编号:IRF3205ZPBF-ND 别名:*IRF3205ZPBF <br>64-0096PBF <br>64-0096PBF-ND <br>SP001574672 <br> | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRF3205ZPBF 品牌: Infineon 库存编号: 688-6829 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF3205ZPBF![]() | 8210640 | INFINEON 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
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![]() | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 4.9Milliohms; ID 110A; TO-220AB; PD 170W; -55de 型号:IRF3205ZPBF 仓库库存编号:70016921 | ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | IR MOSFET N, 55 V 75 A 170 W TO-220AB, IRF3205ZPBF, IR 型号:IRF3205ZPBF 仓库库存编号:171-37-367 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 45 ns | |
典型接通延迟时间 | 18 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 76 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 3450 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.69mm | |
封装类型 | TO-220AB | |
尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 170000 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 55 V | |
最大漏源电阻值 | 0.007 Ω | |
最大连续漏极电流 | 110 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.54mm | |
高度 | 8.77mm |