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IRF3007SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRF3007SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF3007SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF3007SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3007SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF3007SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF3007SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 75V, 62A, 12.6 MOHM, 89 NC QG, D2-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF3007SPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 62A(Tc) 120W(Tc) D2PAK 型号:IRF3007SPBF 仓库库存编号:IRF3007SPBF-ND 别名:*IRF3007SPBF <br>SP001553924 <br> | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IRF3007S/LPbF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 75V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 62A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 12.6 毫欧 @ 48A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3270pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 120W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
产品目录页面 | 1521 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | *IRF3007SPBF |