型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3007PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3007PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3007PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF3007PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3007PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF3007PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3007PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3007PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 75 V 12.6 mOhm 130 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3007PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 75V, 80A, 12.6 MOHM, 89 NC QG, TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3007PBF [更多] | International Rectifier |
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3007PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 75V, 80A, 200W, TO220AB, HEXFET?
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF3007PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF3007PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF3007PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF3007PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB 型号:IRF3007PBF 仓库库存编号:IRF3007PBF-ND 别名:*IRF3007PBF <br>SP001571144 <br> | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | IRF3007PbF |
---|---|
产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 75V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 75A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 12.6 毫欧 @ 48A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3270pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 200W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF3007PBF |