| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF2907ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF2907ZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 75V, RDS(ON) 3.5 Milliohms, ID 170A, TO-262, PD 330W, VF 1.3V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF2907ZLPB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，75V，170A，TO262 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF2907ZLPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，75V，170A，TO262 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF2907ZLPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 75A TO262 | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号： IRF2907ZLPBF 品牌： Infineon 库存编号： 651-8816 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 75A TO262 详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 300W（Tc） TO-262 型号：IRF2907ZLPBF 仓库库存编号：IRF2907ZLPBF-ND 别名：SP001576784 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 97 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 180 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 7500 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 封装类型 | TO-262 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 300000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.005 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 170 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 高度 | 10.54mm |
