型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF2907ZS-7PPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms 170nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF2907ZS-7PPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK (Alt: IRF2907ZS-7PPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF2907ZS-7PPBF. [更多] | Infineon Technologies AG | N CHANNEL MOSFET, 75V, 160A, D2-PAK
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF2907ZS-7PPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 75V, RDS(ON) 3 Milliohms, ID 160A, D2Pak, PD 300W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF2907ZS-7PPBF [更多] | International Rectifier | 160 A, 75 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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IRF2907ZS-7PPBF [更多] | International Rectifier | 160 A, 75 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF2907ZS-7PPB | International Rectifier | MOSFET,N沟道,75V,180A,D2PAK-7 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | IRF2907ZS-7PPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF2907ZS-7PPBF![]() | 1078405 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 75 V, 3.8 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
IRF2907ZS-7PPBF.![]() | 2119461 | INFINEON 场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 160A, D2-PAK ![]() | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: IRF2907ZS-7PPBF 品牌: Infineon 库存编号: 651-8844 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 3 Milliohms; ID 160A; D2Pak; PD 300W; VGS +/-20V 型号:IRF2907ZS-7PPBF 仓库库存编号:70017248 | ![]() | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 92 ns | |
典型接通延迟时间 | 21 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 170 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 7580 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
封装类型 | D2PAK | |
引脚数目 | 7 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 300000 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 75 V | |
最大漏源电阻值 | 0.004 Ω | |
最大连续漏极电流 | 180 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 五源、单 | |
高度 | 4.55mm |