| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQA7N90M | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P 详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 210W（Tc） TO-3P 型号：FQA7N90M 仓库库存编号：FQA7N90M-ND | 无铅 | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P 详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 210W（Tc） TO-3PN 型号：FQA7N90M_F109 仓库库存编号：FQA7N90M_F109-ND | 无铅 | 搜索 |
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 | FQA7N90M Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P  | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | FQA7N90M |
|---|---|
| 产品相片 | TO-3P-3,TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 900V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.8 欧姆 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1880pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 210W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
