| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQA85N0 | Fairchild Semiconductor | Transistor,MOSFET,N Channel,Single,TO3PN,FQA85N06 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P 详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN 型号：FQA85N06 仓库库存编号：FQA85N06-ND | 无铅 | 搜索 |
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 | FQA85N0 Fairchild Semiconductor | Transistor,MOSFET,N Channel,Single,TO3PN,FQA85N06 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 175 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 40 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 86 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 3170 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 18.9mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 214000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.01 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 高度 | 18.9mm |
