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FDB082N15A [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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FDB082N15A [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
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FDB082N15A [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FDB082N15A) RoHS: Compliant | 搜索 |
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FDB082N15A [更多] | ON Semiconductor | 150V 8.2MOHM TO263 3L JEDEC GR
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FDB082N15A | Fairchild Semiconductor | MOSFET N CH 150V 105A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 117A(Tc) 294W(Tc) D2PAK(TO-263AB) 型号:FDB082N15A 仓库库存编号:FDB082N15AFSCT-ND 别名:FDB082N15AFSCT <br> | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | FDB082N15A |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 117A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 8.2 毫欧 @ 75A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 84nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6040pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 231W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | FDB082N15A-ND |