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| FDB10AN06A0 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB 详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta），75A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：FDB10AN06A0 仓库库存编号：FDB10AN06A0-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | FDB10AN06A0, FDP10AN06A0 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Ta）， 75A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 10.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1840pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 135W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
