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Vishay - SI7601DN-T1-GE3 - MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V - SI7601DNT1GE3
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SI7601DN-T1-GE3|Vishay
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SI7601DN-T1-GE3
制造商型号： SI7601DN-T1-GE3
制造商： Vishay
描述： MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:11.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:19 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
封装:Reel
下降时间:80 ns
最小工作温度:- 50 C
功率耗散:3.8 W
上升时间:112 ns
典型关闭延迟时间:53 ns
零件号别名:SI7601DN-GE3

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI7601DN-T1-GE3
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