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Vishay Siliconix - SI7601DN-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8 - SI7601DNT1E3
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SI7601DN-T1-E3|Vishay Siliconix
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SI7601DN-T1-E3
制造商型号: SI7601DN-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SI7601DN
产品相片 PowerPAK 1212-8
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)16A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)19.2 毫欧 @ 11A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)27nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1870pF @ 10V
功率 - 最大值52W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装PowerPAK? 1212-8

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