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| SI7846DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| SI7846DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 150V 6.7A 5.2W 50mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SI7846DP-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7846DP-T1-GE3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
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| SI7846DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SI7846DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
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| SI7846DP-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8 型号：SI7846DP-T1-GE3 仓库库存编号：SI7846DP-T1-GE3-ND | 无铅 |
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| SI7846DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | SI7846DP |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4A （Ta）， 24.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
