| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7846DP-T1-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7846DP-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 150V 6.7A 5.2W RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI7846DP-T1 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 150V 6.7A 5.2W RoHS: Not compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7846DP-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7846DP-T1-E3/BKN) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| SI7846DP-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7846DP-T1-E3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7846DP-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.041OHM, 4A, P
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7846DP-T1-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET, 150V N-Channel 50MOHM@QOV PWM Optimized RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| SI7846DP-T1-E3/BKN [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET, 150V N-Channel 50MOHM@QOV PWM Optimized RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7846DP-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 150V 6.7A 5.2W pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI7846DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK 8SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI7846DP-T1-E3 VISHAY | 单 N 沟道 150 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8  | 查价格库存 查看详细 |
 | SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK 8SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8 型号：SI7846DP-T1-E3 仓库库存编号：SI7846DP-T1-E3CT-ND 别名：SI7846DP-T1-E3CT | 无铅 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SI7846DP-T1-E3 VISHAY | 单 N 沟道 150 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8 | 查价格库存 查看详细 |
 | SI7846DP-T1-E3/BKN Vishay Siliconix | Vishay Siliconix 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK 8SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | Siliconix / Vishay MOSFET; 150V N-Channel 50MOHM@QOV PWM Optimized 型号：SI7846DP-T1-E3 仓库库存编号：70026283 |  | 搜索 |
 | Siliconix / Vishay MOSFET; 150V N-Channel 50MOHM@QOV PWM Optimized 型号：SI7846DP-T1-E3/BKN 仓库库存编号：70026377 | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
SI7846DP-T1-E3 | 1704004 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.7 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 4.5 V (EN) | 搜索 |
SI7846DP-T1-E3 | 2524659 | VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.041Ω, 4A (EN) | 查看其他仓库 |
PDF查询| 数据列表 | SI7846DP |
|---|---|
| 产品相片 | PowerPAK SO-8 Pkg |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4A （Ta）， 24.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 产品目录页面 | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI7846DP-T1-E3TR SI7846DPT1E3 |
