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Vishay Siliconix - SI5511DC-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 - SI5511DCT1E3
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SI5511DC-T1-E3|Vishay Siliconix
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SI5511DC-T1-E3
制造商型号: SI5511DC-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 SI5511DC
产品相片 Pkg 5547
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4A,2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)55 毫欧 @ 4.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)435pF @ 15V
功率 - 最大值2.1W,1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装1206-8 ChipFET?
产品目录页面1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI5511DC-T1-E3TR

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