PDF查询| 数据列表 | SI5509DC |
|---|---|
| 产品相片 | Pkg 5547 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5A，3.9A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 52 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.6nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 455pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET? |
| 产品目录页面 | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI5509DC-T1-E3TR SI5509DCT1E3 |
