型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STL40DN3LLH5 库存编号:497-11220-6-ND | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT | 2140 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥21.31 ¥13.53 ¥9.07 ¥7.15 ¥6.54 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
STL40DN3LLH5 库存编号:497-11220-1-ND | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT | 2140 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥21.31 ¥13.53 ¥9.07 ¥7.15 ¥6.54 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
STL40DN3LLH5 库存编号:497-11220-2-ND | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT | 0 3000起订 | 3000+ 6000+ 9000+ | ¥5.75 ¥5.41 ¥5.28 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STL40DN3LLH5 库存编号:511-STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFETs Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V | 19811 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 3000+ 6000+ | ¥18.91 ¥12.3 ¥8.5 ¥6.79 ¥6.1 ¥5.57 ¥5.33 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STL40DN3LLH5 库存编号:STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET Array, Dual N Channel, 30 V, 40 A, 18 Milliohms, PowerFLAT 5x6 DI, 8 Pins - Tape and Reel (Alt: STL40DN3LLH5) | 0 3000起订 | 3000+ 6000+ 12000+ 18000+ 24000+ | ¥5.52 ¥5.48 ¥5.38 ¥5.28 ¥5.19 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STL40DN3LLH5 库存编号:86926268 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101 | 0 3000起订 | 3000+ 6000+ | ¥6.09 ¥5.75 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STL40DN3LLH5 库存编号:STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | Transistor: N-MOSFET, unipolar | 0 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 3000+ 6000+ | ¥15.44 ¥14.01 ¥12.3 ¥11.01 ¥10.01 ¥9.3 ¥8.87 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Tape and Reel (Alt: STL40DN3LLH5) RoHS: Compliant | 搜索 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R (Alt: STL40DN3LLH5) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin Power Flat T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin Power Flat T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, NN CH, 30V, 40A, POWERFLAT
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | Dual N-Channel 30 V 18 mOhm SMT STripFET? V Power MosFet - PowerFLAT 5x6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
STL40DN3LLH5 [更多] | STMicroelectronics | Dual N-Channel 30 V 18 mOhm SMT STripFET? V Power MosFet - PowerFLAT 5x6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STL40DN3LLH | STMicroelectronics | MOSFET,N沟道,30V,40A,PowerFLAT8 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | STL40DN3LLH STMicroelectronics | MOSFET,N沟道,30V,40A,PowerFLAT8![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | STL40DN3LLH5 STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | STMicroelectronics MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A 60W Surface Mount PowerFlat? (5x6) 型号:STL40DN3LLH5 仓库库存编号:497-11220-1-ND 别名:497-11220-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STL40DN3LLH5![]() | 2098405 | STMICROELECTRONICS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.5 V ![]() | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 13 ns | |
典型接通延迟时间 | 4 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V | |
典型输入电容值@Vds | 475 pF @ 25 V | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 5.75mm | |
封装类型 | PowerFLAT | |
尺寸 | 4.75 x 5.75 x 0.85mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 60 W | |
最大栅源电压 | ±22 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.025 Ω | |
最大连续漏极电流 | 40 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双漏极 | |
长度 | 4.75mm | |
高度 | 0.85mm |