PDF查询| 数据列表 | STL3NM60N |
|---|---|
| 其它有关文件 | STL3NM60N View All Specifications |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | Mdmesh™ II |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 650mA （Ta）， 2.2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.8 欧姆 @ 1A, 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 188pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 22W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerFlat?（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 497-13351-2 |
