| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STL3NM60N [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| STL3NM60N [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R - Tape and Reel (Alt: STL3NM60N) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STL3NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 2.2A POWERFLAT | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT 详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），2.2A（Tc） 2W（Ta），22W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3） 型号：STL3NM60N 仓库库存编号：497-13351-1-ND 别名：497-13351-1 <br> |  | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STL3NM60N | 2629759 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 600 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V (EN) | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | STL3NM60N |
|---|---|
| 其它有关文件 | STL3NM60N View All Specifications |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | Mdmesh™ II |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 650mA （Ta）， 2.2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.8 欧姆 @ 1A, 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 188pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 22W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerFlat?（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 497-13351-2 |
