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STF25NM60ND [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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STF25NM60N [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh RoHS: Compliant | 搜索 |
STF25NM60ND [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A RoHS: Compliant | 搜索 |
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STF25NM60ND [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube (Alt: STF25NM60ND) RoHS: Compliant | 搜索 |
STF25NM60ND [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Rail/Tube (Alt: STF25NM60ND) RoHS: Compliant | 搜索 |
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STF25NM60ND [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO 220FP
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STF25NM60N | STMicroelectronics | MOSFET,N沟道,600V,21A,TO220FP | 查看库存、价格及货期 |
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STF25NM60ND![]() | 2098219 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP 详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP 型号:STF25NM60ND 仓库库存编号:STF25NM60ND-ND | 无铅 | 搜索 |
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典型关断延迟时间 | 50 ns | |
典型接通延迟时间 | 60 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 80 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 2400 pF V @ 50 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.6mm | |
封装类型 | TO-220FP | |
尺寸 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
引脚数目 | 3 | |
最大功率耗散 | 40 W | |
最大栅源电压 | ±25 V | |
最大漏源电压 | 600 V | |
最大漏源电阻值 | 0.16 Ω | |
最大连续漏极电流 | 21 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
长度 | 10.4mm | |
高度 | 16.4mm |