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| STF26NM60N [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| STF26NM60N [更多] | STMicroelectronics | 20 A, 600 V, 0.165 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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| STF26NM60 | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，600V，20A，TO220FP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F 详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP 型号：STF26NM60N 仓库库存编号：497-11886-5-ND 别名：497-11886-5 <br>STF26NM60N-ND <br> | | 搜索 |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP 详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP 型号：STF26NM60ND 仓库库存编号：497-14269-5-ND 别名：497-14269-5 <br>STF26NM60ND-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP 详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP 型号：STF26NM60N-H 仓库库存编号：STF26NM60N-H-ND | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号： STF26NM60N 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 103-2000 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号： STF26NM60N 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-2792 | 搜索 | ||
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 85 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1800 pF @ 50 V | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大功率耗散 | 35 W | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.165 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 16.4mm |
