RENESAS - RQJ0304DQDQS#H1 - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 2.6A SC-62 - RQJ0304DQDQSH1
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- 场效应管 MOSFET P沟道 30V 2.6A SC-62 - RQJ0304DQDQSH1
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RQJ0304DQDQS#H1
制造商型号:
RQJ0304DQDQS#H1
制造商:
RENESAS
描述:
场效应管 MOSFET P沟道 30V 2.6A SC-62
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET P沟道 30V 2.6A SC-62
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: -2.6A
漏源电压, Vds: -30V
在电阻RDS(上): 0.195ohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
功耗, Pd: 1.5W
封装类型: SOT-89
针脚数: 3
MSL: MSL 2A - 4星期
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
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型号: RQJ0304DQDQS#H1 品牌: RENESAS 备注: 场效应管 MOSFET P沟道 30V 2.6A SC-62
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