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RENESAS - RQJ0304DQDQA#H6 - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 1.8A SC-59A - RQJ0304DQDQAH6
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RQJ0304DQDQA#H6|RENESAS
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RQJ0304DQDQA#H6
制造商型号: RQJ0304DQDQA#H6
制造商: RENESAS
描述: 场效应管 MOSFET P沟道 30V 1.8A SC-59A
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 30V 1.8A SC-59A
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: -1.8A
  • 漏源电压, Vds: -30V
  • 在电阻RDS(上): 0.195ohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 功耗, Pd: 800mW
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 2A - 4星期
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)

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