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NXP - PMWD26UN - 场效应管 MOSFET N沟??? TSSOP-8 - PMWD26UN
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PMWD26UN|NXP
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PMWD26UN
制造商型号： PMWD26UN
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟??? TSSOP-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 TSSOP-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 5.2A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS（上）: 26mohm
  • 功耗, Pd: 2.3W
  • 封装类型: TSSOP
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 22ns
  • 下降时间: 33ns
  • 封装/箱盒: TSSOP
  • 总功率, Ptot: 2.3W
  • 时间, t off: 56ns
  • 时间, t on: 14ns
  • 晶体管数: 2
  • 栅极电荷 Qg P沟道: 23.6nC
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vgs 最高: 10V
  • 电流, Idm 脉冲: 18A
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 26mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 0.45V
产地： DE Germany

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