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NXP - PMWD30UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8 - PMWD30UN
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PMWD30UN|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PMWD30UN
制造商型号： PMWD30UN
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N TSSOP-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 晶体管极性:?频道
  • 电流, Id 连续: 5A
  • 电压, Vds 最大: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 33mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 700mV
  • 功耗, Pd: 2.3W
  • 封装类型: TSSOP
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
  • SMD标号: 30UN
  • 功率, Pd: 2.3W
  • 器件标号: 4
  • 封装类型: TSSOP
  • 晶体管数: 2
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 10V
  • 电容值, Ciss 典型值: 1478pF
  • 电流, Idm 脉冲: 18A
  • 表面安装器件: 表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V: 40mohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V: 33mohm
  • 针脚配置: D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
产地： DE Germany

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