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NXP - PH8030L,11 - MOSFET,N沟道,30V,76.7A,LFPAK5 - PH8030L11
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PH8030L,11
制造商型号: PH8030L,11
制造商: NXP
描述: MOSFET,N沟道,30V,76.7A,LFPAK5
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间27 ns
典型接通延迟时间25 ns
典型栅极电荷@Vgs14 nC V @ 4.5, 15.2 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds2260 pF V @ 12, 2540 pF V @ 0
安装类型表面贴装
宽度4.1mm
封装类型LFPAK
尺寸5 x 4.1 x 1.1mm
引脚数目5
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散62500 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.006 Ω
最大连续漏极电流76.7 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置单、三源
长度5mm
高度1.1mm

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