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NXP Semiconductors - PH8230E,115 - MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK - PH8230E115
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PH8230E,115|NXP Semiconductors
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PH8230E,115
制造商型号: PH8230E,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 PH8230E
产品相片 568-LFPAK-4,SOT669
标准包装  1,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)67A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8.2 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1400pF @ 10V
功率 - 最大值62.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商器件封装LFPAK,Power-SO8
产品目录页面1507 (CN2011-ZH PDF)
其它名称568-2350-2
934057745115
PH8230E T/R
PH8230E115

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: PH8230E,115
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