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NXP Semiconductors - BLS6G2933S-130 - 射频MOSFET电源晶体管 130W, 2.9-3.3GHz Radar Appl. - BLS6G2933S130
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BLS6G2933S-130|NXP Semiconductors
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BLS6G2933S-130
制造商型号： BLS6G2933S-130
制造商： NXP Semiconductors
描述： 射频MOSFET电源晶体管 130W, 2.9-3.3GHz Radar Appl.
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:NXP
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
频率:2.9 GHz to 3.3 GHz
增益:12.5 dB
输出功率:130 W
汲极/源极击穿电压:60 V
漏极连续电流:33 A
闸/源击穿电压:13 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:SOT-922-1
封装:Bulk
最小工作温度:- 65 C
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）:135 mOhms

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