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NXP Semiconductors - BLS6G2933P-200,117 - 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR PALLET AMPLIFIER - BLS6G2933P200117
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BLS6G2933P-200,117|NXP Semiconductors
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BLS6G2933P-200,117
制造商型号： BLS6G2933P-200,117
制造商： NXP Semiconductors
描述： 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR PALLET AMPLIFIER
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:NXP
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
频率:2.9 GHz to 3.3 GHz
增益:11 dB
输出功率:220 W
汲极/源极击穿电压:60 V
漏极连续电流:66 A
闸/源击穿电压:11 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:SOM038 (LDMOS)
封装:Tray
安装风格:SMD/SMT
工厂包装数量:15

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