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INFINEON - IPD110N12N3 G - 场效应管 MOSFET N沟道 120V 75A TO252-3 - IPD110N12N3G
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MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

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MOSFET N-Ch 120V 75A DPAK-2 OptiMOS 3

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MOSFET MV POWER MOS

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IPD110N12N3 G
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD110N12N3GATMA1)

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IPD110N12N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD110N12N3GATMA1)

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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-252

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IPD110N12N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET, N-CH, 120V, 75A, TO252-3

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IPD110N12N3 G INFINEON 场效应管 MOSFET N沟道 120V 75A TO252-3 查看库存、价格及货期
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Infineon - IPD110N12N3 G - Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3 G, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
IPD110N12N3 G
品牌：
Infineon
库存编号：
754-5462
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IPD110N12N3 G|INFINEONIPD110N12N3 G
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 120V 75A TO252-3
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IPD110N12N3 G|INFINEON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPD110N12N3 G
制造商型号： IPD110N12N3 G
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 120V 75A TO252-3
技术参考： Rohs PDF查询
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 120V 75A TO252-3
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 75A
  • 漏源电压, Vds: 120V
  • 在电阻RDS（上）: 0.0092ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 136W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 3 - 168小时
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C

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