PDF查询| 数据列表 | IPx110N12N3 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-252-3 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 120V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 75A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 83µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4310pF @ 60V |
| 功率 - 最大值 | 136W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD110N12N3 G-ND IPD110N12N3 GTR IPD110N12N3G SP000674466 |
