创唯电子
Infineon Technologies - SPD30N08S2-22 - MOSFET N-CH 75V 30A DPAK - SPD30N08S222
登录  |  购物车(0)  |  注册    
库存查询
您现在的位置: 首页 > 制造商索引 > Infineon Technologies - SPD30N08S2-22 - MOSFET N-CH 75V 30A DPAK - SPD30N08S222
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存

50个仓库,1500万条库存数据任选


数据正在加载中...
参考价格及参考库存
  美国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SPD30N08S2-22
[更多]
Infineon Technologies AG  

搜索
  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SPD30N08S2-22
[更多]
Infineon Technologies AG

30 A, 75 V, 0.0215 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252

搜索
查看更多最新库存及价格请点击搜索按钮,以下列表只显示产品部分信息。
  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
SPD30N08S2-22 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 30A DPAK 查看库存、价格及货期
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Infineon Technologies - SPD30N08S2-22 - MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3

型号:SPD30N08S2-22
仓库库存编号:SPD30N08S2-22-ND
别名:SP000013153
SPD30N08S222T
含铅
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SPD30N08S2-22|Infineon TechnologiesSPD30N08S2-22
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SPD30N08S2-22|Infineon TechnologiesSPD30N08S2-22
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SPD30N08S2-22|Infineon TechnologiesSPD30N08S2-22
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
SPD30N08S2-22|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SPD30N08S2-22
制造商型号: SPD30N08S2-22
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
数据列表 SPD30N08S2-22
产品相片 TO-252-3
PCN Obsolescence Multiple Devices 03/Jun/2008
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)21.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1950pF @ 25V
功率 - 最大值136W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装P-TO252-3
其它名称SP000013153
SPD30N08S222T

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SPD30N08S2-22
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: SPD30N08S2-22
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话:400-900-3095 邮箱:sales@szcwdz.com QQ:800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号