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SPD30N08S2-22 [更多] | Infineon Technologies AG |
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SPD30N08S2-22 [更多] | Infineon Technologies AG | 30 A, 75 V, 0.0215 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
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SPD30N08S2-22 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 30A DPAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 30A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3 型号:SPD30N08S2-22 仓库库存编号:SPD30N08S2-22-ND 别名:SP000013153 SPD30N08S222T | 含铅 |
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数据列表 | SPD30N08S2-22 |
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产品相片 | TO-252-3 |
PCN Obsolescence | Multiple Devices 03/Jun/2008 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 75V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 30A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 21.5 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 80µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 57nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1950pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 136W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | P-TO252-3 |
其它名称 | SP000013153 SPD30N08S222T |