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Infineon Technologies - SPD30P06P - MOSFET P-CH 60V 30A DPAK - SPD30P06P
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MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3

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SPD30P06PGBTMA1
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MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2

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MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2

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MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2

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SPD30P06PGBTMA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SPD30P06P G
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Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SPD30P06PG)

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SPD30P06P G
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Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SPD30P06P G)

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SPD30P06PGBTMA1
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Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: SPD30P06PGBTMA1)

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SPD30P06PGBTMA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 (Alt: SPD30P06PGBTMA1)

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SPD30P06PGBTMA1
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Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SPD30P06PGBTMA1
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Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET, P-CH, -60V, -30A, TO-252-3

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MOSFET, P-CH, -60V, -30A, TO-252-3

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SPD30P06PGBTMA1
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Infineon Technologies AG

Single P-Channel 60 V 75 mOhm 32 nC SIPMOS? Power Mosfet - TO-252-3

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SPD30P06PGBTMA1
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Infineon Technologies AG

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -60V, -30A, 125W, PG-TO252-3

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SPD30P06P
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Infineon Technologies AG

MOSFET Transistor, P-Channel, TO-252AA

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SPD30P06P Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 30A DPAK 查看库存、价格及货期
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SPD30P06P|Infineon TechnologiesSPD30P06P
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
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SPD30P06P G|Infineon TechnologiesSPD30P06P G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
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SPD30P06P|Infineon TechnologiesSPD30P06P
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MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
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Infineon Technologies - SPD30P06P - MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3

型号:SPD30P06P
仓库库存编号:SPD30P06PINCT-ND
别名:SPD30P06PINCT
SPD30P06PXTINCT
SPD30P06PXTINCT-ND
无铅

Infineon Technologies - SPD30P06P G - MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3

详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3

型号:SPD30P06P G
仓库库存编号:SPD30P06P GCT-ND
别名:SPD30P06P GCT
无铅
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SPD30P06P G|Infineon TechnologiesSPD30P06P G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
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SPD30P06P|Infineon TechnologiesSPD30P06P
Infineon Technologies
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SPD30P06P|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SPD30P06P
制造商型号: SPD30P06P
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
数据列表 SPD,SPU30P06P
产品相片 TO-252-3
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Feb/2008
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SIPMOS®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)75 毫欧 @ 21.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1535pF @ 25V
功率 - 最大值125W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装P-TO252-3
其它名称SP000012842
SP000077529
SPD30P06PINTR
SPD30P06PT
SPD30P06PXTINTR
SPD30P06PXTINTR-ND

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SPD30P06P
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: SPD30P06P
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