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SPD30P06PGBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
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SPD30P06P G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
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SPD30P06PGBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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数据列表 | SPD,SPU30P06P |
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产品相片 | TO-252-3 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SIPMOS® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 30A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 75 毫欧 @ 21.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1.7mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1535pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 125W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | P-TO252-3 |
其它名称 | SP000012842 SP000077529 SPD30P06PINTR SPD30P06PT SPD30P06PXTINTR SPD30P06PXTINTR-ND |