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Infineon Technologies - SPB21N50C3 - MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 - SPB21N50C3
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SPB21N50C3|Infineon Technologies
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SPB21N50C3
制造商型号: SPB21N50C3
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SPB21N50C3
产品相片 TO-263
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)560V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)21A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)190 毫欧 @ 13.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)95nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2400pF @ 25V
功率 - 最大值208W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-3
产品目录页面1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称Q2088067
SP000013833
SPB21N50C3-ND
SPB21N50C3INTR
SPB21N50C3XT

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