PDF查询| 数据列表 | SPI,SPP,SPB21N10 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 80 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 44µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 865pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 90W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | SP000102171 SPB21N10GXT |
