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INFINEON - SPB20N60S5 - 场效应管 MOSFET N D2-PAK - SPB20N60S5
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SPB20N60S5|INFINEON
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SPB20N60S5
制造商型号: SPB20N60S5
制造商: INFINEON
描述: 场效应管 MOSFET N D2-PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N D2-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 20A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • 在电阻RDS(上): 190mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4.5V
  • 功耗, Pd: 208W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • SMD标号: 20N60S5
  • 功耗, Pd: 208W
  • 功耗, Pd: 208W
  • 封装/箱盒: D2-PAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 总功率, Ptot: 208W
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 20A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 600V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 40A
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻最大值: 190mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 5.5V
产地: MY Malaysia

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SPB20N60S5
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