| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD50R800CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 5A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD50R800CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 5A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD50R800CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 5A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD50R800CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | CONSUMER RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD50R800CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 5A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD50R800CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET CONSUMER RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50R800CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET CONSUMER RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50R800CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 500V 5A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50R800CE [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 500V 5A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD50R800CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin DPAK T/R (Alt: IPD50R800CEBTMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50R800CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOS Power Transistors HV (>= 200V) - Tape and Reel (Alt: IPD50R800CEAUMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50R800CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOS Power Transistors HV (>= 200V) (Alt: IPD50R800CEAUMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50R800CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD50R800CEATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD50R800CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD50R800CEATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD50R800CE [更多] | Infineon Technologies AG |
| 搜索 |
| IPD50R800CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG |
| 搜索 |
| IPD50R800CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG |
| 搜索 |
| IPD50R800CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG |
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD50R800CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 500V, 5A, 40W, PG-TO252-3, CoolMOS?
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPD50R800CE | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 5A TO252 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N CH 500V 5A TO252 详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3 型号：IPD50R800CE 仓库库存编号：IPD50R800CECT-ND 别名：IPD50R800CECT <br> |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPD50R800CE Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 5A TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPD50R800CE Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 5A TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | IPD50R800CE |
|---|---|
| 产品相片 | TO-252-3 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 超级结 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 800 毫欧 @ 1.5A, 13V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 130µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 280pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 40W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD50R800CETR SP000992076 |
