型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | CONSUMER RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET CONSUMER RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CE [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2 | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CE [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 6.1A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD50R650CE) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | CONSUMER - Tape and Reel (Alt: IPD50R650CEAUMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 550V 6.1A 3-Pin DPAK T/R - Bulk (Alt: IPD50R650CEBTMA1) | 搜索 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 6.1A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001117708) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | CONSUMER (Alt: SP001396796) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | , MOSFET, N, 500V, 9A, TO-252 RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CE [更多] | Infineon Technologies AG | RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IPD50R650CE | Infineon Technologies | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3 型号:IPD50R650CE 仓库库存编号:IPD50R650CECT-ND 别名:IPD50R650CECT <br> | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IPD50R650CE |
---|---|
产品相片 | TO-252-3 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6.1A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 650 毫欧 @ 1.8A, 13V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 150µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 342pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 47W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
其它名称 | IPD50R650CETR SP000992078 |