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Infineon Technologies - IPD50R650CE - MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 - IPD50R650CE
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MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2

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Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 6.1A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD50R650CE)

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Trans MOSFET N-CH 550V 6.1A 3-Pin DPAK T/R - Bulk (Alt: IPD50R650CEBTMA1)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 6.1A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001117708)

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Infineon Technologies AG

CONSUMER (Alt: SP001396796)

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  日本3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IPD50R650CEAUMA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant
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  新加坡2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IPD50R650CEAUMA1
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Infineon Technologies AG

, MOSFET, N, 500V, 9A, TO-252

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IPD50R650CE Infineon Technologies MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 查看库存、价格及货期
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Infineon Technologies - IPD50R650CE - MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3

型号:IPD50R650CE
仓库库存编号:IPD50R650CECT-ND
别名:IPD50R650CECT <br>

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IPD50R650CE|Infineon TechnologiesIPD50R650CE
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MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
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IPD50R650CE|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPD50R650CE
制造商型号: IPD50R650CE
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IPD50R650CE
产品相片 TO-252-3
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.1A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)650 毫欧 @ 1.8A, 13V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)342pF @ 100V
功率 - 最大值47W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3
其它名称IPD50R650CETR
SP000992078

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