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Infineon Technologies - BDP 949 H6327 - TRANS NPN AF 60V 3A SOT223 - BDP949H6327
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BDP 949 H6327
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Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR

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Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS

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Trans GP BJT NPN 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: BDP949H6327XTSA1)

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Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin SOT-223 T/R (Alt: BDP 949 H6327)

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Trans GP BJT NPN 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Trans GP BJT NPN 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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BDP949 Series 60 V 3 A Surface Mount Silicon NPN Transistor - SOT-223-4

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BDP949 Series 60 V 3 A Surface Mount Silicon NPN Transistor - SOT-223-4

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BDP 949 H6327 Infineon Technologies TRANS NPN AF 60V 3A SOT223 查看库存、价格及货期
BDP 949 H6327|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BDP 949 H6327
制造商型号: BDP 949 H6327
制造商: Infineon Technologies
描述: TRANS NPN AF 60V 3A SOT223
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 BDP,947,949,953
产品相片 SOT223-3L
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 单路
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)500mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)-
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,1V
功率 - 最大值5W
频率 - 跃迁100MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装PG-SOT223-4
其它名称SP000748382

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