数据列表 | BDP,947,949,953 |
---|---|
产品相片 | SOT223-3L |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 500mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,1V |
功率 - 最大值 | 5W |
频率 - 跃迁 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
产品目录页面 | 1622 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | BDP 949 E6327-ND BDP949E6327 BDP949E6327BTSA1 BDP949E6327HTSA1 BDP949E6327INTR BDP949E6327XT SP000010932 |