型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP3N110 库存编号:747-IXTP3N110 | IXYS Corporation | MOSFETs 3 Amps 1100V 4 Rds | 0 起订 | 6-10天 | 询价 |
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IXTP3N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220 | 查看库存、价格及货期 |
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数据列表 | IXT(A,P)3N110/120 |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1100V(1.1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 4 欧姆 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1350pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 200W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |