型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP3N100D2 库存编号:747-IXTP3N100D2 | IXYS Corporation | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A | 1495 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 2500+ | ¥55.67 ¥44.68 ¥36.17 ¥32.15 ¥27.54 ¥24.7 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP3N100D2 库存编号:87343134 | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | 0 16起订 | 16+ | ¥59.17 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP3N100D2 库存编号:IXTP3N100D2 | IXYS Corporation | MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A | 0 300起订 | 300+ 500+ 1000+ 1500+ 2500+ | ¥30.5 ¥29.81 ¥29.26 ¥28.71 ¥28.16 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP3N100D2 库存编号:IXTP3N100D2 | IXYS Corporation | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 1kV, 3A, 125W, TO220AB, 17ns | 229 1起订 | 1+ 10+ 50+ 100+ 250+ 500+ | ¥57.47 ¥48.46 ¥34.74 ¥32.02 ¥30.31 ¥27.73 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTP3N100D2 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTP3N100D2 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTP3N100D2 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTP3N100D2 [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
IXTP3N100D2 [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTP3N100D2 [更多] | IXYS Corporation | N-Channel 1000 V 3 A 5.5 O Depletion Mode Power Mosfet - TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP3N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTP3N100D2 IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB 详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB 型号:IXTP3N100D2 仓库库存编号:IXTP3N100D2-ND | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | IXT(A,P)3N100D2 |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 耗尽模式 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.5 欧姆 @ 1.5A,0V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 37.5nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1020pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 125W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |