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| IRLR6225PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRLR6225PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET
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| IRLR6225PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 63 W
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| IRLR6225PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 20V, 100A, 63W, DPAK
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| IRLR6225PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IR MOSFET N, 20 V 100 A 63 W DPAK, IRLR6225PBF, IR 型号：IRLR6225PBF 仓库库存编号：171-01-286 |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRLR6225PBF 品牌： Infineon 库存编号： 737-7293 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRLR6225PBF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRLR6225PBF Saber Model IRLR6225PBF Spice Model |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 100A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4 毫欧 @ 21A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 72nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3770pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 63W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
