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| IRLR6225PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRLR6225PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 63 W
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| IRLR6225PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 20V, 100A, 63W, DPAK
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| IRLR6225PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，20V，100A，HEXFET，DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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| 制造商零件编号： IRLR6225PBF 品牌： Infineon 库存编号： 737-7293 | 搜索 |
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 | IRLR6225PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，20V，100A，HEXFET，DPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | IR MOSFET N, 20 V 100 A 63 W DPAK, IRLR6225PBF, IR 型号：IRLR6225PBF 仓库库存编号：171-01-286 | | 搜索 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 63 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 3770 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 63 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5.2 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm |
