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| IRL2910STRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRL2910STRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK 型号：IRL2910STRLPBF 仓库库存编号：IRL2910STRLPBFCT-ND 别名：IRL2910STRLPBFCT <br> |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRL2910S/L |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 设计资源 | IRL2910SPBF Saber Model IRL2910SPBF Spice Model |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 55A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 26 毫欧 @ 29A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 140nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
