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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL2910SPBF - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 55A D2PAK - IRL2910SPBF
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IRL2910SPBF
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MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

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IRL2910SPBF
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MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 54nC

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IRL2910SPBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Bulk (Alt: IRL2910SPBF)

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IRL2910SPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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IRL2910SPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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IRL2910SPBF N-channel MOSFET Transistor, 55 A, 100 V, 3-Pin D2PAK

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IRL2910SPBF
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IRL2910SPBF
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55 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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IRL2910SPBF
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55 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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IRL2910SPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管 MOSFET N沟道 100V 55A D2PAK 查看库存、价格及货期
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Infineon - IRL2910SPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
IRL2910SPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
543-0377
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IRL2910SPBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRL2910SPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N沟道 100V 55A D2PAK
Rohs

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INTERNATIONAL RECTIFIER		原厂原装货
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IRL2910SPBF|International RectifierIRL2910SPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
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IRL2910SPBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRL2910SPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N沟道 100V 55A D2PAK
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IR - IRL2910SPBF - MOSFET N, 100 V 55 A 3.8 W D2PAK, IRL2910SPBF, IR		IR
MOSFET N, 100 V 55 A 3.8 W D2PAK, IRL2910SPBF, IR

型号：IRL2910SPBF
仓库库存编号：171-11-051

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IRL2910SPBF|INTERNATIONAL RECTIFIER
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRL2910SPBF
制造商型号： IRL2910SPBF
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 100V 55A D2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 100V 55A D2PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 29A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 26mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 3.8W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最??值: 175°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 3.8W
  • 功耗, Pd: 200W
  • 封装/箱盒: D2-PAK
  • 封装类型: TO-263
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 55A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电压, Vgs 最高: 16V
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 2V
产地： US United States

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRL2910SPBF
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