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| IRFH5220TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 200V 20A 100mOhm 20nC Qg RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFH5220TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.8A（Ta），20A（Tc） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6） 型号：IRFH5220TR2PBF 仓库库存编号：IRFH5220TR2PBFCT-ND 别名：IRFH5220TR2PBFCT <br> |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRFH5220TR2PBF 品牌： Infineon 库存编号： 760-4369 | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 200 V 3.8 A 3.6 W PQFN-8 (5x6), IRFH5220TR2PBF, IR 型号：IRFH5220TR2PBF 仓库库存编号：171-01-240 | | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRFH5220PBF |
|---|---|
| 产品相片 | IRFHM830DTR2PBF |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.8A （Ta）， 20A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 99.9 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1380pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 3.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH5220TR2PBFCT |
