型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFH5215TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 150V 5A PQFN RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFH5215TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFH5215TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFH5215TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFH5215TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 150V, 27A, PQFN
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IRFH5215TRPBF. [更多] | Infineon Technologies AG | N CHANNEL MOSFET, 150V, 5A, 8-PQFN
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFH5215TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 150 V 58 mOhm 21 nC HEXFET? Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFH5215TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 5A PQFN | 查看库存、价格及货期 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFH5215TRPBF![]() | 2725934 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 0.0455 ohm, 10 V, 5 V ![]() | 搜索 |
IRFH5215TRPBF.![]() | 1867002 | INFINEON 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 5A, 8-PQFN ![]() | 搜索 |
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数据列表 | IRFH5215PBF |
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产品相片 | IRFHM830DTR2PBF |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRFH5215TR2PBF Saber Model IRFH5215TR2PBF Spice Model |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5A (Ta), 27A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 58 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 32nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1350pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 3.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | PQFN(5x6) |